MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。当Tc=25度时，通过附加最大容许损耗Pd，则变为Tc=150度max. Pd=(Tcmax-Tc)/Rth(ch-c) MOS管大功率和小功率也只是一个相对的说法，就比如我们平时说高个子可能是1.7，1.8，也可能是1.9；那矮个子可能是1.4，1.5，也可能是1.7，1.8，对于高度为2.0的人来说。 一般来讲，电流大于10A的，电压高于500V的可以称为大功率，但不绝对。 MOS的功耗是指MOS在电路应用中的损耗，比如导通损耗，开关损耗等，当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd.

MOS管自身的功率 P = VDS * ID,VDS = ID * Rds,Rds是MOS管得导通电阻，可以通过查看芯片手册得知RDS。MOS管的最大功耗取决于管子允许的温升,最好功耗确定后,便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。

MOS管自身的功率 P = VDS * ID，VDS = ID * Rds，Rds是MOS管得导通电阻，可以通过查看芯片手册得知RDS。给mos管两端加上直流电，然后让mos导通，看一下耗电就行了。