三极管和MOS管做开关用时可用以下两种方法来区别。 1、工作性质： 1、"三极管"用电流控制，MOS管属于电压控制。 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 2、场效应管和晶体管的区别 1、场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。 2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。 3、场效应管能在小电流和低电压的条件下工作，广泛应用于大规模集成电路中。 4、场效应管是利用多数载流子导电，称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。 5、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 6、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级。

一个是电流驱动型(三极管)；一个是电压驱动型(MOS)；2、三极管便宜，mos管贵。 3、三极管损耗大。 4、mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。

1、BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。 BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是跨导gm； 2、BJT线性较差，FET线性较好； 3、BJT噪声较大，FET噪声较小； 4、BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型 所以FET选型和使用都比较复杂； 5、BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流； 总的看，无论在分立元件电路还是集成电路中，FET替代BJT都是一个大趋势。