选择方法： 1.输入阻抗高。输入阻抗之高，是普通大功率三极管无法比拟。使用MOS管做开关管，其输入阻抗高达100MΩ，这对激励信号不会产生压降，只要有一点电压就可驱动。 2.开关速度快。开关速度在10~100ns，工作频率高达100kHz以上。普通三极管由于载流子的存储效应，其开关总会存在滞后现象，进而影响开关速度。 3.不存在二次击穿。

一般需要考虑几个因素，(不保证完全对)1：导通/截止时间，对于三极管，开关频率极限40KHz，开关管导通时间小于1.5uS，关断时间1uS。(缪的字母不会打，用U代了)，MOS管已经达到NS级的时间，150KHz频率以下一般的开关电源都不需要考虑。2：对于耐压，单端电路是最高输入电压值的2倍或以上，半桥或全桥1倍或以上。 2：对于电流(Icm)，单端按照平均导通电流的5倍或以上，半桥需要10倍或以上。 当然不是说所有适合以上参数的管子都适合做开关管。

在ORing FET应用中，MOS管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时 。 　　相比从事以开关为核心应用的设计人员，ORing FET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，ORing FET应用设计人员最关心的是最小传导损耗。 　　低RDS(ON) 可把BOM及PCB尺寸降至最小 　　一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗;对ORing FET应用来说，RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON) 是一个相对静态参数。